RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
45
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3422
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link