RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3422
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link