RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2631
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link