RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2631
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link