RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1982
3562
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link