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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kllisre 0000 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Kllisre 0000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
49
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre 0000 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
49
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2220
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kllisre 0000 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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