RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
44
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
44
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2011
1977
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link