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Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
44
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
44
Velocità di lettura, GB/s
12.8
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2011
1977
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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