RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
44
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2011
1977
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link