RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3181
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2B1866C10 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7AFR8C-RD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.A1G9O.AQZ 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DX0-YK0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link