RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3181
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link