RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3079
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link