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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
17.1
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3079
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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