RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
75
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
75
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1763
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link