RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
45
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3355
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link