RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3355
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link