RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
45
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1858
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link