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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.3
12.5
写入速度,GB/s
8.0
6.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1858
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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