RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
45
Autour de -114% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3168
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link