RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3609
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Comparaison des RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link