RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 45
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 3609

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB RAMの比較

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
メモリRAM