RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2202
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link