RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
45
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2768
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link