RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
48
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3022
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link