RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
48
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3022
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link