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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
48
Autour de -2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
47
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2793
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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