RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
48
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
47
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
11.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2793
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link