RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link