RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    20.9 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.4 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 8500
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 20.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 17.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 3963

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Сравнения RAM

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
модули RAM