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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3963
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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