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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
48
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
33
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3539
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB Comparaison des RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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