RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
48
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
23
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3087
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link