RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
48
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3061
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link