RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3061
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link