RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
48
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
18.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3738
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link