RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
48
Autour de -92% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
25
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1617
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link