takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Note globale
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 13.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    36 left arrow 50
    Autour de -39% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.0 left arrow 1,457.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    50 left arrow 36
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,757.3 left arrow 13.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,457.4 left arrow 9.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    557 left arrow 1778
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons