takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Pontuação geral
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 50
    Por volta de -39% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 1,457.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    50 left arrow 36
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,757.3 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,457.4 left arrow 9.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    557 left arrow 1778
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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