takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Puntuación global
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 13.6
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 50
    En -39% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 1,457.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,757.3 left arrow 13.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,457.4 left arrow 9.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    557 left arrow 1778
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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