takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

総合得点
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

総合得点
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 50
    周辺 -39% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 1,457.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,757.3 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,457.4 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    557 left arrow 1778
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