RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
48
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3454
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link