RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
48
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
24
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2773
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link