RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
48
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
24
Velocità di lettura, GB/s
8.9
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2773
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link