RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
48
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
23
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2818
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link