RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2819
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link