RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2819
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link