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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
48
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2140
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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