RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
48
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
23
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2099
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link