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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
総合得点
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
48
周辺 -109% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.1
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
23
読み出し速度、GB/s
8.9
13.6
書き込み速度、GB/秒
5.9
6.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1420
2099
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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