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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3593
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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